DI7A6N10SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI7A6N10SQ MOSFET, SO-8, N, 100V, 7.6A, 20mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI7A6N10SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	7.600 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0200 Ω
	@ ID	7.500 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0280 Ω
	@ ID	6.800 A
	@ VGS	6 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	20 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	37 ns
Abfallzeit	tf	27 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	22.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	6 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	416.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1650 pF
Output Capacitance	Coss	330 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	70 pF
Reverse recovery charge	Qrr	90 nC