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德欧泰克半导体正在推出其最新的碳化硅 MOSFET 产品 DIF170SIC049，该器件的导通电阻低至 49 mΩ。它采用 TO-247-4L 封装，包含开尔文源极引脚，可实现更快的开关速度和更低的功率损耗。该产品拥有适用于多种应用的全面产品组合：工业驱动器、功率转换系统、电动汽车充电器和光伏逆变器。

随着现代电子系统在性能、效率和紧凑性方面不断突破极限，升级应用的电压系统通常需要对电路设计进行精细调整，无论是分立元件还是集成电路。这正是德欧泰克 新推出的 DIF170SIC049 大放异彩之处。它专为卓越的可靠性而设计，可确保更大的安全裕度，特别是针对寄生无源元件引起的突发电压过冲。无论是部署四个器件组成 H 桥为电池充电，还是作为六个复杂开关用于三相逆变器中，DIF170SIC049 都能在软开关和硬开关条件下提供可靠的性能，确保稳健运行和长期的电路稳定性。其最大 49 mΩ 的导通电阻也最大限度地减少了导通和开关损耗，保持了系统整体效率并增强了热性能。通过将 SiC 技术固有的稳健性与优化的开关动态特性相结合，德欧泰克使设计人员能够满怀信心地开创下一代创新。

特性

• 高反向击穿电压
• 先进的平面技术
• 低导通电阻
• 低电容、快速开关时间
• 低栅极电荷
• 低总开关能量
• 可提供工程样品

应用

• 电动汽车充电系统
• 光伏逆变器
• 通信电源
• 功率因数校正
• 开关模式电源
• DC/DC 转换器
• 工业机械
• 电机驱动

规格参数

• 漏源电压：1700 V
• 最大导通电阻：49 mΩ
• 漏源漏电流：100 µA
• 连续栅源电压范围：-8 V 至 22 V
• 推荐的导通栅极电压：18 V
• 推荐的关断栅极电压：-4 V
• 功耗：357 W
• 最大漏极峰值电流：150 A
• 最大热阻：0.21 K/W
• 工作结温范围：-55°C 至 +175°C
• 封装：工业级 TO-247-4L