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Diotec Semiconductor stellt seinen neuesten Siliziumkarbid-MOSFET DIF065SIC020 vor, der sich durch einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on)-Wert von 20mΩ auszeichnet. Er ist im neuen TO-247-4L-Gehäuse untergebracht, das einen vierten Anschluss enthält, auch Kelvin-Source genannt. Es erlaubt schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Verlustleistungen und eine höhere Zuverlässigkeit. Dieses Bauteil ist ideal geeignet für ein umfassendes Portfolio an verschiedensten Anwendungen: Stromversorgungen für Datenserver, Solar-Wechselrichter, industrielle Antriebe und Leistungswandler.

Im Bereich der Leistungselektronik, wo laufend die Energieeffizienz verbessert werden muss, entwickelt sich SiC zu einer vielversprechenden Technologie der nächsten Generation. Sie verspricht überlegene Fähigkeiten, die die konventionellen Leistungs-MOSFETs oder IGBTs auf Siliziumbasis übertreffen, aufgrund des höheren Spannungsdurchbruchs und einer deutlich geringeren Verlustleistung. Durch die Implementierung der Wide-Bandgap-Technologie können diese Bauelemente auch in Hochtemperaturanwendungen zuverlässig arbeiten. Mit einem vergleichsweise geringeren Durchlasswiderstand erzeugen SiC-MOSFETs geringere Schaltverluste pro Zyklus und verbessern den Wirkungsgrad erheblich, während sie gleichzeitig eine höhere Schaltgeschwindigkeit in einem Leistungswandlerystem erlauben. Somit entwickeln sich SiC-MOSFETs zur bevorzugten Lösung für verschiedenste Anwendungen, insbesondere solche, bei denen hohe Spannungen bei sehr hohen Frequenzen geschaltet werden – wo Si-basierte MOSFETs und IGBTs klar eingeschränkt sind.

Merkmale

• Hohe Durchbruchsspannung in Sperrrichtung
• Fortschrittliche Planar-Technologie
• Extrem niedriger Einschaltwiderstand
• Schnelle Schaltzeit bei geringer Kapazität
• Niedrige Gate-Ladung
• Niedrige Gesamt-Schaltenergie

Anwendungen

• Stromversorgungen für Datenserver
• Ladesysteme für Elektrofahrzeuge (EV)
• Solar-Wechselrichter
• Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
• Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
• Schaltnetzteile (SMPS)
• DC/DC-Wandler
• Industrielle Antriebe und Stromversorgungen

Spezifikationen

• 650 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
• Maximal 20 mΩ Einschaltwiderstand (RDSon)
• 100 µA Drain-Source-Leckstrom (IDSS)
• Von -10 V bis 22 V kontinuierliche Gate-Source-Spannung (VGSS)
• Empfohlene Einschalt-Gate-Spannung VGS(on) von 18 V
• Empfohlene Abschalt-Gate-Spannung VGS(off)von -5 V
• 550 W Verlustleistung (Ptot)
• Bis zu 150 A Spitzen-Drainstrom (IDM)
• 0,21 K/W maximaler Wärmewiderstand (RthC)
• -55°C bis +175°C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (Tj)
• Industriestandard-Gehäuse TO-247 mit vier Anschlüssen und Kelvin-Source

Mit dem DIF065SIC020 unterstreicht Diotec sein Engagement, die nächste Generation von Energiewandlern mit langlebiger, hocheffizienter SiC-Technologie zu bestücken. Ganz gleich, ob Sie Datenserver-, Solar-, Industrie- oder EV-Lösungen entwicklen, dieser MOSFET erfüllt die Anforderungen der modernen Leistungselektronik.

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Der DI317-ADD von Diotec ist ein einstellbarer positiver 3-Pin-Spannungsregler, der 100 mA über einen Ausgangsspannungsbereich von 1,25 V bis 37 V liefern kann. Er ist einfach in der Anwendung und benötigt nur zwei externe Widerstände zur Einstellung der Ausgangsspannung. Darüber hinaus verfügt er über eine interne Strombegrenzung, eine thermische Abschaltung und einen sicheren Arbeitsbereich, wodurch er praktisch ausfallsicher ist.

In den meisten festverdrahteten Mess- und Überwachungssystemen, wie z.B. in der Sicherheits- und Prozessautomation, wo Zuverlässigkeit höchste Priorität hat, ist ein zuverlässiges Stromversorgungssystem von entscheidender Bedeutung. Diotec stellt den neuen positiv einstellbaren Spannungsregler DI317-ADD im SO-8 Gehäuse vor. Dieser Regler basiert auf einer bewährten Technologie, die seine Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auch in den anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet. Mit einem Versorgungsspannungsbereich von 4 V bis 40 V ist er der ideale Regler unter anderem für Sicherheits- und Prozessautomatisierungssysteme. Somit können Sensoren sowohl für den Betrieb an 12 V als auch an 24 V DC-Versorgungen ausgelegt werden, ohne dass Komponenten angepasst oder geändert werden müssen. Mit einem Ausgangsstrom von bis zu 100 mA und einer einstellbaren Ausgangsspannung von 1,25 V können diese Regler zum Betrieb verschiedener Sensortypen eingesetzt werden. Sie werden in einem SO-8 Gehäuse geliefert und bieten ein hervorragendes Wärmemanagement sowie eine sehr kleine Grundfläche.

Diotec Semiconductor stellt seinen neuesten Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET DIW065SIC015 vor, der mit 15 mΩ den niedrigsten RDS(on)-Wert in seinem Portfolio aufweist. Er ist im klassischen und weit verbreiteten TO-247-3L-Gehäuse aufgebaut, das sich leicht in das Schaltungsdesign jeder Hochleistungsanwendung integrieren lässt. Dieses Bauelement ist ideal für hocheffiziente hochgetaktete Stromversorgungen, die in Serverstationen eingesetzt werden. Darüber hinaus kann es ein breites Spektrum unterschiedlicher Anwendungen abdecken, wie z. B. Photovoltaik-Wechselrichter, Industrieantriebe und Umrichtersysteme.

In der Leistungselektronik ist die Industrie bestrebt, höhere Leistungen bei gleichbleibendem oder verbessertem Gesamtwirkungsgrad zu liefern. Die SiC-Technologie der nächsten Generation ist auf dem Vormarsch und stellt ihre traditionellen Vorgänger, die Si-basierten Leistungs-MOSFETs, mit ihrer überlegenen Spannungsfestigkeit und der deutlich geringeren Verlustleistung in den Schatten. Durch den Einsatz der Wide-Bandgap-Technologie können diese Bauelemente auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen zuverlässig arbeiten. Darüber hinaus weisen SiC-MOSFETs aufgrund ihrer geringeren Schaltzeiten geringere Schaltverluste pro Zyklus auf, was den Wirkungsgrad verbessert und höhere Schaltgeschwindigkeiten in Leistungsumwandlungssystemen ermöglicht. SiC-MOSFETs entwickeln sich daher zur primären Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, insbesondere für hochfrequent getaktete Hochspannungsschaltungen, bei denen Si-basierte IGBTs nur begrenzt einsetzbar sind.