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Diotec’s PW4512 - 45 A / 1200 V Standard Recovery Rectifier

Diotec’s PW4512 - 45 A / 1200 V Standard Recovery Rectifier Diode (TO-247-2L)

The PW4512 from Diotec Semiconductor is a high-performance, standard-recovery rectifier diode designed for demanding power applications. With a repetitive reverse voltage of 1200 V and a maximum average forward current of 45 A, the PW4512 delivers reliable performance in industrial and high-power environments.

Assembled in an industry-standard TO-247-2L package, the PW4512 ensures excellent thermal performance and easy heat sink assembly. The PW4512 features a low forward voltage drop of less than 1.1 V at 45 A and 25°C, which contributes to improved system efficiency and reduced power losses. The PW4512 also supports a high surge current capability of up to 300 A (10 ms), ensuring robust performance under transient conditions.

As such, the PW4512 is ideal for applications such as polarity protection or OR-ing circuits in battery-powered systems (e.g. back-up supplies for data servers or telecom base stations, UPS or solar water pumps), input rectification in industrial power supplies, motor drives, and inverters.

Key Features

  • High voltage capability (1200 V)
  • High forward current rating (45 A)
  • Low forward voltage drop (< 1.1 V at 45 A, 25°C)
  • High surge current capability (300 A, 10 ms)
  • High power dissipation
  • Easy heat sink mounting (TO-247-2L)
  • Industry-standard package outline
     

Applications

  • Back-up supplies for data servers
  • Telecom base stations
  • Motor drives
  • Polarity protection
  • OR-ing circuits
  • Inverters
  • Battery chargers
  • Uninterruptible Power Supplies (UPS)
     

Specifications

  • Average Forward Current (IFAV): 45 A
  • Repetitive Reverse Voltage (VRRM): 1200 V
  • Forward Voltage (VF): < 1.1 V at 45 A, 25°C
  • Surge Current (IFSM): 300 A (10 ms)
  • Recovery Time: 1500 ns (standard recovery)
  • Package: TO-247-2L

The PW4512 combines high voltage capability, strong surge robustness, and efficient thermal performance, making it a reliable solution for industrial power conversion and protection applications.

Diotec GBI25J-LV：专为持续工作电源级设计的低正向电压整流桥

Diotec's GBI25J-LV: Low-VF Bridge Rectifier for Continuous-Duty Power Stages

在单相交流输入级中，每半个市电周期内有两颗整流二极管导通。因此，正向压降直接决定了持续工作时的导通损耗、热负荷以及长期可靠性。

德欧泰克设计的 GBI25J-LV是一款25A、600V的整流桥，针对典型负载条件下的低正向压降进行了优化。在正向电流为12.5A时，每颗二极管的正向压降低于0.92V。由于电流路径上始终存在两颗二极管，与传统的整流桥相比，这种V_F的降低可在额定工作条件下（而不仅是在峰值负载时）将总导通损耗降低高达20%。

该器件在80°C壳温下的平均输出电流额定值为25A，支持紧凑型大功率设计中的高电流密度。其浪涌电流能力可达325/360A，为应对启动冲击和瞬态过载提供了充裕的余量。反向漏电流规格低于5µA，有助于在整个工作温度范围内保持高效率和热稳定性。

GBI25J-LV采用不对称引脚间距（2x 7.5 mm和10 mm）的GBI单列直插封装。该封装支持直接安装到散热器上，能在大功率设计中实现高效的热耦合和可预测的温度控制。

典型应用包括服务器和数据中心电源、电信和基站设备、网络基础设施以及持续运行的工业电源系统。在这些应用中，整流桥的导通损耗随着每个市电周期累积，直接影响系统的效率和寿命。

DI010N03PW-AQ N-Channel Power MOSFET by Diotec in a Compact QFN 2×2 Package

Diotec’s DI010N03PW-AQ N-channel power MOSFET supports high efficiency and robust operation in a tiny package, making it ideal for DC to DC converters, power management units, load switches, and other commercial, industrial, and automotive applications.

For more insights watch our new video or click here: diotec.com/DI010N03PW-AQ

 

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保障混合动力/电动汽车在压力下保持冷静——冷却泵由Diotec的65 A / 80 V功率MOSFET管DI065N08D1-AQ（D-PAK封装）驱动

Diotec's 65 A / 80 V Power MOSFETs DI065N08D1-AQ in D-PAK

着电动汽车的不断发展，对其热管理系统的要求也愈加严苛。快速充电、高性能动力总成以及多电机配置都会产生大量热量，必须对其进行有效控制，以确保效率和寿命。此过程中的一个关键部件是冷却液泵——它由无刷直流（BLDC）电机驱动，在12V至48V系统中可提供120W至300W的功率。

这些BLDC电机驱动的核心是功率级，这里对效率、可靠性和鲁棒性的要求最高。这正是德欧泰克半导体的DI065N08D1-AQ表现出众之处。

专为严苛汽车环境设计
DI065N08D1-AQ是一款65A/80V的功率MOSFET管，采用紧凑型TO-252AA（D-PAK）封装，专为高性能汽车应用而开发，例如冷却液泵、风扇驱动器、电池管理系统和DC-DC转换器。

该MOSFET管具有典型的5.5mΩ低导通电阻、低栅极电荷和逻辑电平栅极驱动能力，能提供出色的效率和快速的开关性能——是现代电机控制策略的理想选择。其175°C的最高结温额定值和雪崩稳健性，即使在严酷的热和电气应力下也能确保长期可靠性。

主要特性:

  • 逻辑电平栅极驱动，简化控制
  • 极低的导通电阻，实现高效率
  • 快速开关时间，优化电机控制
  • 低栅极电荷，最大限度减少驱动器功率损耗
  • 优异的热性能
  • 具有雪崩额定值，适合严苛的实际工况

应用领域:

  • BLDC电机控制器（例如，电动汽车冷却液泵和辅助驱动）
  • 电池管理系统(BMS)
  • DC-DC转换器
  • 开关电源
  • 通用高效开关应用

技术规格（摘要）: 

  • 漏源电压（VDSS）：80V
  • 连续漏极电流（ID）：65A
  • 典型导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ
  • 漏源漏电流（IDSS）：1µA
  • 总功耗（Ptot）：62.5W
  • 峰值漏极电流（IDM）：300A
  • 连续体二极管电流（IS）：52A
  • 峰值体二极管电流（ISM）：100A
  • 单脉冲雪崩能量（EAS）：25.6mJ
  • 结壳热阻（RthC）：< 2.4K/W
  • 最大工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C

紧凑强劲，高性能表现：LDI51-4.0EN-AQ超低压差线性稳压器

LDI51-4.0EN-AQ Linear Voltage Regulator

德欧泰克 推出的 LDI51-4.0EN-AQ 是一款高性能、固定输出 +4.0 V 的低压差（LDO）线性稳压器，旨在提供高达 500 mA 的输出电流，并具备卓越的稳定性和效率。它采用紧凑的 SOT-23-5 封装，提供超低的静态电流和极低的压差电压，并内置了热过载和短路保护功能，即使在严苛环境中也能确保可靠的性能。

这款高性价比的电源调节解决方案适用于各类汽车系统。典型应用包括汽车仪表盘、电池备份稳压电源、天线馈电以及 DC-DC 转换器的后级稳压。

主要特性:

  • 超低压差工作
  • 极低静态电流
  • 严格的输出电压精度（±2%）
  • 集成热过载与短路保护
  • 低功耗
  • 使能（ON/OFF）功能

典型应用:

  • 汽车仪表盘
  • 电池备份电源系统
  • RF 与天线供电

 

规格参数:

  • 输入电压：最高 18 V
  • 输出电流：最高 500 mA
  • 压差电压：在 100 mA 时仅为 120 mV
  • 静态电流：低至 1 µA
  • 封装形式：紧凑型 SOT-23-5

NUP3105L-AQ:面向汽车CAN和LIN总线系统的可靠ESD保护

NUP3105L-AQ ESD Protection Diodes

面向汽车CAN和LIN总线系统的可靠ESD保护

Diotec推出的NUP3105L-AQ是一款高性能ESD保护二极管，专为保护汽车通信网络（如CAN和LIN总线系统）中的敏感数据线而设计。其电容值极低，仅为30 pF，并提供高达30 kV的ESD防护，在确保信号完整性的同时，为静电放电事件提供稳健的保护。

NUP3105L-AQ为每条数据线提供双向保护，具备295 W（8/20 µs）的峰值脉冲功率能力，并保持极低的反向漏电流（<1 µA）。该器件采用紧凑的SOT-23封装，通过了AEC-Q101认证且具备PPAP能力，是要求长期可靠性的汽车和工业设计的理想选择。

主要特性:

  • 汽车级ESD保护二极管
  • 为数据线和I/O端口提供双向保护
  • 超低电容（30 pF），保持信号完整性
  • 极低的反向漏电流（<1 µA）
  • 峰值功耗高达295 W（8/20 µs）
  • 通过AEC-Q101认证，符合RoHS、REACH及冲突矿产法规要求

典型应用:

  • CAN和LIN总线保护
  • 数据线及I/O端口ESD保护
  • 汽车网关模块
  • USB、HDMI、以太网及传感器接口保护
  • 基于微控制器的系统

关键规格:

  • 钳位电压（VWM）：32 V
  • ESD抗扰度：±30 kV
  • 最高结温（Tj max）：125℃
  • 最大反向电流（IR）：1 µA

BAV99L-AQ: 面向48V通信与（混合）电动汽车电池系统的高速双小信号二极管

BAV99L-AQ High-Speed Dual Small Signal Diode

Diotec推出的BAV99L-AQ是一款双小信号二极管，专为48V电信备用电源系统以及（混合）电动汽车（[H]EV）电池管理系统（BMS）中的通用应用而设计。该器件具有小于4纳秒的开关时间、100 V的峰值反向电压以及2×125 mA的正向电流，可在实现可靠高速逻辑路径的同时，保护敏感元件。

电池管理系统在多电芯配置中起着至关重要的作用，可最大限度地提升安全性、可靠性和电池寿命。

BMS负责监控电荷状态（SOC）和健康状态（SOH），防止热风险、过压/欠压、过流、短路及过热问题，并管理电芯均衡、控制充放电过程以及与充电器或控制单元进行通信。

BAV99L-AQ非常适合以下任务:

  • 在钳位电路配置中将快速瞬态导向地或电源轨
  • 保护微控制器、传感器和MOSFET免受电压尖峰冲击
  • 为小型继电器线圈提供续流（正向浪涌能力：1 A持续1 ms）
  • 在传感器输出或网关端口隔离反向电流信号

其低电容（<2 pF）和超快开关特性使其成为分配逻辑、报警限值和状态标志等应用的理想选择。完全通过AEC-Q101认证的BAV99L-AQ可大批量供货，为汽车和电信应用提供可靠的高性能解决方案。

主要特性:

  • 串联配置的双二极管结构
  • 高速开关（<4 ns）
  • 通过AEC-Q101认证

应用领域:

  • 汽车电子与数字仪表盘
  • 信息娱乐系统
  • 电信备用电源
  • 照明控制

技术规格:

  • 重复反向电压（VRRM）：100 V
  • 直流阻断电压（VDC）：75 V
  • 平均正向电流：双二极管均负载时为125 mA，单二极管负载时可达250 mA
  •  典型正向电压（VF）：<0.855 V（测试条件：10 mA，25°C）
  • 封装：SOT-23

BC846S: 采用紧凑型SOT-363封装的双NPN晶体管，适用于通用开关与放大应用

BC846S Bipolar Transistors by Diotec Semiconductor

德欧泰克 推出的 BC846S 是一款双 NPN 晶体管，在节省空间的 SOT-363 封装中，延续了行业标准 BC846 的可靠性能。两个晶体管均支持 100 mA 的连续集电极电流、200 mA 的峰值电流，以及 45 V 的最大集电极-发射极电压，其典型直流电流增益为 290。这使其非常适合放大微弱输入信号以及各类开关应用。

凭借其单一紧凑封装中的双路设计，BC846S 有助于节省宝贵的 PCB 空间，同时保持强劲性能。典型应用包括 LED 照明、消费类电子，以及吸尘器、吹风机、电动剃须刀、电动工具和厨房电器等家用电器。

主要特性:

  • 单封装集成双 NPN 晶体管
  • 采用节省空间的 SOT-363 封装外形
  • 符合行业标准 BC846 参数
  • 适用于通用放大与开关场景

应用领域:

  • LED 照明系统
  • 消费类电子设备
  • 吸尘器、吹风机、电动剃须刀
  • 电动工具
  • 厨房电器

关键规格:

  • 集电极电流（IC）：标称 100 mA，峰值 200 mA
  • 集电极-发射极电压（VCEO）：45 V
  • 直流电流增益（hFE）：典型值 290（测试条件 2 mA / 5 V
  • 总功耗（Ptot）：150 mW（环境温度 25°C）
  • 封装形式：SOT-363