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德欧泰克半导体推出的 SI02C120SMA 是一款 2 A / 1200 V 碳化硅肖特基二极管，采用紧凑的 DO-214AA 封装。它具有 1200 V 的高击穿电压、极低的反向恢复电荷以及固有的低结电容，从而提升了其在严苛应用中的可靠性。因此，SI02C120SMA 是驱动高边配置 SiC MOSFET 的理想自举二极管。

驱动高边 SiC MOSFET 是一项重大挑战，因为其源极电压节点是悬浮的，在典型应用中可达数百伏。因此，为了有效开启 SiC MOSFET，栅极电压必须偏置在足以高于源极电压的水平。实现这一目标最具成本效益的方法之一是通过自举电路。然而，传统的自举电路可能会面临限制，尤其是在占空比和工作频率方面，这主要是由于自举电容的快速重复充电时间。我们新发布的 SI02C120SMA 可以显著缓解这些限制。其承受更高强度和重复性峰值正向电流的能力可以省去自举电阻，从而加快充电和放电过程。此外，其良好的低结电容有助于抑制任何可能的电磁干扰引起的振铃，并降低栅极驱动器误触发欠压锁定（UVLO）的可能性。该二极管在严苛环境下的稳健性能甚至超过了软恢复超快硅二极管，使其成为自举二极管选择的更优替代品。

特性

• 高反向击穿电压
• 几乎为零的开关损耗
• 低反向漏电流
• 高效率高频开关
• 紧凑型SMD封装
   

应用

• 辅助电源
• 光伏逆变器
• 通信电源
• 功率因数校正
   

规格参数

• 160°C 时平均正向电流：2 A
• 重复反向电压：1200 V (VRRM)
• 典型正向电压：2 A / 25°C 条件下为 1.40 V (VF)
• 典型反向漏电流：1200 V / 175°C 条件下为 2 µA (IR)
• 总电容电荷：800 V， 2 A， 200 A/µs 条件下为 16 nC
• 封装外形：DO-214AC

局部互连网络，通常称为 LIN 总线，是一种用于汽车应用中传感器、执行器与人机界面组网的串行现场总线。CXPI（时钟扩展外围接口）的开发旨在克服广泛使用的 LIN 总线的某些缺点，但其物理层在很大程度上与 LIN 总线共享。毋庸置疑，此类总线系统需要 ESD 保护，因为根据标准 IEC 61000-4-2 人体模型，它们极易受到人为放电的影响。

汽车标准 ISO 16750-2 还要求，在跨接启动期间具备 +24 V 的过压承受能力，并在电池反接事件中承受 -15 V 的欠压。ESD 保护二极管必须能够承受这两个电压范围，并且理想情况下采用非对称配置。ESDB1524GW-AQ 正是为此需求而开发，提供高达 ±30 千伏的强大 ESD 防护能力。其高峰值脉冲功率和低反向漏电流，满足了 LIN 和 CXPI 总线的特殊需求。

特性

• 高 ESD 防护能力
• 符合 ISO 16750-2 的非对称配置：
• +24 V 用于跨接启动
• -15 V 用于电池反接
• Compliant to ROHS, REACH, Conflict Minerals
• AEC-Q101 qualified

应用

• LIN 和 CXPI 总线保护
• ESD 保护
• 数据线及 I/O 端口保护
• 人机交互接口
• 汽车网关保护

规格参数

• 正向耐压：+24 V
• 反向耐压：-15 V
• ESD 防护能力：±30 kV
• 8/20 µs 脉冲下的峰值脉冲功率：200 W
• 最大反向电流：50 nA(ID)

The heart of any industrial or domestic control device is either a microcontroller, a PLC (Programmable Logic Controller) or an IPC (Industrial PC). It handles the data processing, logic control, and interfacing. The latter includes digital inputs and outputs for status and PWM signals, switches or relays. Analog inputs measure variables such as temperature, brightness or frequency, while the outputs provide signal voltages or currents. Communication with other devices works via special interfaces such as Profibus, Profinet, EtherNet/IP, CANopen, Modbus or KNX. The power supply runs on typical input voltages of 24 VDC, 48 VDC or 110/230 VAC; sometimes, communication data are transferred via the power line itself.

Diotec provides dedicated semiconductor components acting between the microcomputer device and its surrounding. This Application Note introduces it.

德欧泰克半导体推出的PW4512是一款高性能标准恢复整流二极管，专为严苛的功率应用而设计。该器件具备1200V的重复反向电压与45A的最大平均正向电流，可在工业及高功率环境中提供可靠性能。

PW4512采用行业标准TO-247-2L封装，具备出色的散热性能，并便于安装散热器。其在45A、25℃条件下的正向压降低于1.1V，有助于提升系统效率并减少功率损耗。该器件还支持高达300A（10ms）的浪涌电流能力，确保在瞬态条件下的稳健运行。

因此，PW4512非常适合用于电池供电系统（如数据服务器或通信基站的备用电源、UPS或太阳能水泵）中的极性保护或OR-ing电路、工业电源的输入整流、电机驱动以及逆变器等应用。

主要特性

• 高耐压能力（1200V）
• 高正向电流额定值（45A）
• 低正向压降（45A、25℃时小于1.1V）
• 高浪涌电流能力（300A，10ms）
• 高功耗承受能力
• 便于安装散热器（TO-247-2L封装）
• 行业标准封装外形
   

典型应用

• 数据服务器备用电源
• 通信基站
• 电机驱动
• 极性保护
• OR-ing电路
• 逆变器
• 电池充电器
• 不间断电源（UPS）
   

规格参数

• 平均正向电流（IFAV）：45A
• 重复反向电压（VRRM）：1200V
• 正向压降（VF）：45A、25℃时小于1.1V
• 浪涌电流（IFSM）：300A（10ms）
• 恢复时间：1500ns（标准恢复)
• 封装：TO-247-2L

PW4512集高耐压能力、强浪涌耐受性和高效散热性能于一体，为工业功率转换与保护应用提供了可靠的解决方案。