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随着高效高频功率电子设备需求激增（尤其在电动汽车、太阳能逆变器和通信基础设施领域），碳化硅MOSFET正成为下一代设计的核心器件。然而相比IGBT（短路耐受时间约10μs），其更短的短路耐受时间（SCWT约2μs）要求超高速保护方案。

德欧泰克半导体的创新解决方案应运而生。

SI02C065SMB是一款采用紧凑型DO-214AA（SMB）封装的2A/650V碳化硅肖特基二极管，专为保护碳化硅MOSFET短路工况的退饱和检测电路设计。

核心特性：

• 2A平均正向电流（IFAV）
• 650V重复峰值反向电压（VRRM）
• 2A/25℃条件下最大正向电压1.6V（VF）
• 650V/25℃条件下最大反向漏电流50μA（IR）
• 400V/2A/-200A/μs条件下总电容电荷5nC（QC）
• DO-214AA封装外形

典型应用：

• 汽车辅助电源模块
• 太阳能逆变器
• 通信电源系统

凭借低开关损耗与高耐压特性，SI02C065SMB已成为现代碳化硅（SiC）系统中实现鲁棒高速保护的理想选择。

车载网关在现代车辆中扮演关键角色，负责管理ECU、传感器与外部网络（如CAN/LIN/Ethernet）间的通信。随着网关日益暴露于互联设备和外部干扰中，强效ESD防护变得至关重要。

为何需要ESD防护？

不受控的电压尖峰会损毁关键数据、中断通信系统并导致系统故障。ESD保护二极管可保障车载网络的完整性与可靠性。

Diotec NUP3105L-AQ 理想解决方案,专为汽车高速数据线防护设计的ESD二极管：

• 超低电容：30 pF
• ESD防护等级：30 kV（符合IEC 61000-4-2）
• 峰值脉冲功率：295 W/线（8/20 µs波形）
• SOT-23封装实现双向防护
• 通过AEC-Q101认证，支持PPAP流程
• 反向漏电流：<100 nA

无论您正在设计新一代网关，还是为高可靠车载网络采购元件，NUP3105L-AQ都能提供卓越性能与车规级可靠性。

该电路板用于演示 Diotec DI280N10TL 在大功率输送装置中的应用。它能够在 48 V 电压下双向切换高达 80 A 的电流。这使其非常适合于不仅需要供电，还需要在充电周期内接收的电池系统。电流、电压、温度和工作模式显示在 OLED 显示屏上。该模块还使用了其他各种 Diotec 部件，如 LDO、小信号 MOSFET、整流二极管、Zener 和 ESD 保护二极管。

德欧泰克半导体隆重推出最新碳化硅MOSFET产品DIF065SIC020，其导通电阻（RDS(on)）低至20mΩ的卓越水平。该器件采用创新TO-247-4L封装，配备第四引脚（开尔文源极），可实现更快的开关速度、更低的功率损耗以及更高的系统可靠性。这些特性使其成为多领域应用的理想选择：数据中心服务器电源、光伏逆变器、工业电机驱动及电能转换系统。

在工业界持续追求能效提升的电力电子领域，碳化硅技术正崛起为极具前景的新一代解决方案。凭借更高击穿电压和显著降低的功率耗散，其性能远超传统硅基功率MOSFET与IGBT。宽带隙技术的应用确保器件在极端温度环境下稳定运行。碳化硅MOSFET凭借更低的导通电阻，在每个开关周期产生更少损耗，在维持高开关速度的同时大幅提升电能转换效率。因此，在需要高频高压开关的应用场景——这正是硅基MOSFET与IGBT的局限所在——碳化硅MOSFET正成为首要解决方案。

产品特性

• 超高反向击穿电压
• 先进平面栅技术
• 极低导通阻抗
• 低电容快速开关
• 低栅极电荷
• 低开关总能耗

典型应用

• 数据服务器电源
• 新能源汽车充电系统
• 太阳能逆变器
• 不间断电源(UPS)
• 功率因数校正(PFC)
• 开关电源(SMPS)
• DC/DC转换器
• 工业驱动与供电系统

关键参数

• 漏源电压(VDSS)：650V
• 最大导通电阻(RDSon)：20mΩ
• 漏源漏电流(IDSS)：100µA
• 栅源连续电压(VGSS)：-10V至22V
• 推荐开启栅压VGS(on)：18V
• 推荐关断栅压VGS(off)：-5V
• 功率耗散(Ptot)：550W
• 峰值漏电流(IDM)：150A
• 最大热阻(RthC)：0.38K/W
• 工作结温(Tj)：-55°C至+175°C
• 工业标准TO-247四引脚封装（含开尔文源极）

DIF065SIC020的推出彰显了德欧泰克以高效耐用碳化硅技术驱动新一代能源解决方案的承诺。无论是数据服务器、太阳能、工业设备还是电动汽车应用，这款MOSFET均专为满足现代电力系统的严苛需求而设计。

欢迎即刻联系获取样品或咨询碳化硅MOSFET如何助力您的下一代项目升级。