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PW4512 von Diotec – 45 A / 1200 V Standard-Gleichrichterdiode

PW4512 von Diotec – 45 A / 1200 V Standard-Gleichrichterdiode (TO-247-2L)

Die PW4512 von Diotec Semiconductor ist ein leistungsstarker Standard Gleichrichter, der für anspruchsvolle Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Spitzensperrspannung von 1200 V und einem Dauergrenzstrom von 45 A bietet die PW4512 einen zuverlässigen Betrieb in industriellen Hochleistungsanwendungen.

Das Bauteil ist im TO-247-2L Industriestandardgehäuse aufgebaut und gewährleistet eine hervorragende Wärmeableitung durch einfache Kühlkörpermontage. Die PW4512 zeichnet sich durch eine geringe Vorwärtsspannung von weniger als 1,1 V bei 45 A und 25 °C aus, was zu einer verbesserten Systemeffizienz und geringeren Leistungsverlusten beiträgt. Sie hat eine hohe Stoßstromfestigkeit von bis zu 300 A (10 ms) und gewährleistet somit eine hohe Robustheit unter transienten Lastbedingungen.

Dies macht die PW4512 ideal geeignet für Anwendungen als Verpolschutz und ODER-Verknüpfung in batteriegepufferten Systemen (z. B. Notstromversorgungen für Datenserver oder Telekombasisstationen, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen oder Solarwasserpumpen), Eingangsgleichrichtung in industriellen Stromversorgungen, Motorantrieben und Wechselrichtern.

Wichtige Merkmale

  • Hohe Spannungsfestigkeit (1200 V)
  • Hohe Durchlassstrombelastbarkeit (45 A)
  • Geringer Durchlassspannungsabfall (< 1,1 V bei 45 A, 25 °C)
  • Hohe Stoßstromfestigkeit (300 A, 10 ms)
  • Hohe Verlustleistung
  • Einfache Montage auf Kühlkörper (TO-247-2L)
  • Gehäuse nach Industriestandard

Anwendungen

  • Notstromversorgung für Datenserver
  • Telekom-Basisstationen
  • Motorantriebe
  • Verpolschutz
  • ODER-Verknüpfung
  • Wechselrichter
  • Batterieladegeräte
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Technische Daten

  • Dauergrenzstrom (IFAV): 45 A
  • Wiederholbare Sperrspannung (VRRM): 1200 V
  • Durchlassspannung (VF): < 1,1 V bei 45 A, 25 °C
  • Stoßstrom (IFSM): 300 A (10 ms)
  • Sperrerholzeit: 1500 ns (Standard-Erholung)
  • Gehäuse: TO-247-2L

Der PW4512 kombiniert hohe Spannungsfestigkeit, Stoßstromfestigkeit und effiziente thermische Leistungsfähigkeit und ist damit eine zuverlässige Lösung für industrielle Stromwandler- und Schutzanwendungen.

 

 

GBI25J-LV von Diotec: Gleichrichterbrücke erfüllt US und EU "Energy Star" Standard

GBI25J-LV von Diotec: Gleichrichterbrücke erfüllt US und EU "Energy Star" Standard

In Eingangsgleichrichtern leiten während jeder Netzhalbwelle zwei Gleichrichterdioden. Folglich bestimmen die Durchlassspannungsabfälle direkt die Verlustleistung, damit die thermische Belastung und am Ende die Langzeitzuverlässigkeit des gesamten Gerätes im Dauerbetrieb. Die US und EU Richtlinie "Energy Star" verlangt eine deutliche Reduzierung dieser Verluste.

Die GBI25J-LV von Diotec ist ein 25 A, 600 V Brückengleichrichter, der für eine niedrige Durchlassspannung unter typischen Lastbedingungen optimiert ist. Bei einem Durchlassstrom von 12,5 A beträgt die Durchlassspannung unter 0,92 V pro Diode. Da sich zwei Dioden permanent im Strompfad befinden, senkt diese Reduzierung von V_F die Gesamtleitungsverluste um bis zu 20 % im Vergleich zu herkömmlichen Brückengleichrichtern – und zwar unter Nennbetriebsbedingungen, nicht nur bei Spitzenlast. Damit lassen sich die US und EU "Energy Star" Anforderungen leicht einhalten.

Das Bauteil ist für einen durchschnittlichen Ausgangsstrom von 25 A bei einer Gehäusetemperatur von 80°C ausgelegt und bietet eine hohe Stromtragfähigkeit für kompakte Leistungsdesigns. Die Stoßstromfestigkeit von 325/360 A (50/60 Hz) bietet eine komfortablen Sicherheitsreserve gegenüber Einschaltströmen und kurzzeitigen Überlastungen. Der Sperrstrom ist auf unter 5 µA spezifiziert, was die Effizienz und thermische Stabilität über den gesamten Betriebstemperaturbereich gewährleistet.

Der GBI25J-LV wird in einem GBI-Single-Inline-Gehäuse mit asymmetrischen Pin-Abständen von 2 x 7,5 mm und 10 mm geliefert. Es ermöglicht eine direkte Montage auf den Kühlkörper, und somit eine effiziente Wärmeableitung sowie eine akzeptable Temperaturentwicklung in Hochleistungsdesigns.

Typische Anwendungen sind Stromversorgungen für Server- und Rechenzentren, Telekommunikation und Basisstationen, Netzwerkinfrastruktur und kontinuierlich betriebene Industrieanwendungen. In diesen spielen die Leistungsverluste des Gleichrichters bei jedem Netzzyklus eine Rolle und wirken sich direkt auf den Systemwirkungsgrad und die Langzeitzuverlässigkeit aus.

DI010N03PW-AQ: N-Channel Power-MOSFET von Diotec im kompakten QFN-2×2-Gehäuse

Der DI010N03PW-AQ von Diotec ist ein N-channel Power MOSFET. Er verbindet hohe Effizienz und robusten Betrieb in einem winzigen Gehäuse. Er eignet sich daher ideal für DC/DC-Wandler, Energiemanagement-Einheiten, Lastschalter und andere kommerzielle, industrielle sowie Automobilanwendungen.

Mehr Informationen finden Sie unter: diotec.com/DI010N03PW-AQ

 

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Thermal Considerations On Power Semiconductors

Das sogenannte „Arrhenius-Gesetz“ besagt – kurz gesagt – dass jede Temperaturerhöhung um 10 K die Lebensdauer eines physikalischen Geräts um 50 % verringert. Somit sind thermische Betrachtungen bei Leistungshalbleitern unabdingbar. Diese Applikationsschrift zeigt, wie man die Sperrschicht-Temperatur korrekt misst und berechnet, gibt Hinweise zum korrekten Auftrag von Wärmeleitpaste und erläutert, wie Bauteile richtig auf den Kühlkörper montiert werden müssen. Sie liegt aktuell nur in Englisch vor.

E- und Hybridfahrzeuge bleiben kühl unter Hochlast – Kühlmittelpumpe angetrieben durch Diotec's 65 A / 80 V Power-MOSFETs DI065N08D1-AQ in D-PAK

Diotecs 65 A / 80 V Power MOSFETs DI065N08D1-AQ in D-PAK

Mit der Weiterentwicklung von Elektrofahrzeugen steigen auch die Anforderungen an deren Wärmemanagementsysteme. Schnellladefunktionen, leistungsstarke Antriebsstränge und Konfigurationen mit mehreren Motoren erzeugen erhebliche Wärme, die effektiv kontrolliert werden muss, um Effizienz und Langlebigkeit zu gewährleisten. Eine entscheidende Komponente in diesem Prozess ist die Kühlmittelpumpe – angetrieben durch einen bürstenlosen Gleichstrommotor (BLDC), der in 12-V- bis 48-V-Systemen eine Leistung von 120 W bis 300 W liefert.

Das Herzstück dieser BLDC-Motorantriebe ist die Leistungsstufe, bei der Effizienz, Zuverlässigkeit und Robustheit gefragt sind. Hier spielt der DI065N08D1-AQ von Diotec Semiconductor seine Stärken aus.

Entwickelt für anspruchsvolle Automobilumgebungen

Der DI065N08D1-AQ ist ein 65 A / 80 V Power-MOSFET, aufgebaut im kompakten TO-252AA (D-PAK)-Gehäuse, das speziell für leistungsstarke Automobilanwendungen wie Kühlmittelpumpen, Lüfterantriebe, Batteriemanagementsysteme und DC-DC-Wandler entwickelt wurde.

Mit einem typischen RDS(on) von nur 5,5 mΩ, einer geringen Gate-Ladung und einem Gate-Treiber auf Logikpegel bietet dieser MOSFET eine hervorragende Effizienz und ein schnelles Schaltverhalten – ideal für moderne Motorsteuerungsstrategien. Seine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C und seine Avalanche-Robustheit gewährleisten langfristige Zuverlässigkeit, selbst unter rauen thermischen und elektrischen Belastungen.

Key Features:

  • Gate-Ansteuerung auf Logikebene für vereinfachte Steuerung
  • Sehr niedriger Durchlasswiderstand für hohen Wirkungsgrad
  • Schnelle Schaltzeiten für optimierte Motorsteuerung
  • Geringe Gate-Ladung zur Minimierung der Verlustleistung des Treibers
  •  Hervorragende thermische Leistung
  • Avalanche-Auslegung für den robusten Einsatz unter realen Bedingungen

Anwendungen:

  • BLDC-Motorsteuerungen (z. B. Kühlmittelpumpen und Hilfsantriebe in Elektrofahrzeugen)
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • DC-DC-Wandler
  • Schaltnetzteile
  • Allgemeine hocheffiziente Schaltanwendungen

Technische Daten (Highlights)

  • 80 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
  • 65 A Dauer-Drain-Strom (ID)
  • Typischer Durchlasswiderstand von 5,5 mΩ (RDS(on))
  • 1 µA Drain-Source-Leckstrom (IDSS)
  • 62,5 W Verlustleistung (Ptot)
  • 300 A Spitzen-Drain-Strom (IDM)
  • 52 A Dauerstrom der Body-Diode (IS)
  • 100 A Spitzen-Body-Diodenstrom (ISM)
  • 25,6 mJ Einzelimpuls-Avalanche-Energie (EAS)
  • < 2,4 K/W Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (RthC)
  • -55 °C bis +175 °C maximaler Betriebsbereich der Sperrschichttemperatur (Tj)

Kompakt, effizient und leistungsstark: Der neue LDI51-4.0EN-AQ Spannungsregler

LDI51-4.0EN-AQ Spannungsregler von Diotec Semiconductor

Der LDI51-4.0EN-AQ von Diotec ist ein leistungsstarker, +4,0 V Low Dropout (LDO)-Festspannungsregler, der für eine Ausgangsstromstärke von bis zu 500 mA mit hoher Stabilität und Effizienz ausgelegt ist. Er ist im kompakten SOT-23-5-Gehäuse untergebracht und bietet neben einem extrem niedrigen Ruhestrom auch eine sehr niedrige Dropout-Spannung. Der integrierte thermische Überlast- und Kurzschlussschutz gewährleistet in anspruchsvollen Umgebungen eine zuverlässige Stromversorgung.

Diese kostengünstige Lösung zur Spannungsregelung eignet sich für eine Vielzahl von Automotive-Systemen. Typische Anwendungen umfassen Displays, Standby-Elektroniken im Parkmodus, Antennenstromversorgungen und Ausgangsregler für DC-DC-Wandler.

Key features:

  • Extrem niedriger Dropout
  • Sehr niedriger Ruhestrom
  • Enge Ausgangsspannungstoleranz (±2 %)
  • Integrierter thermischer Überlast- und Kurzschlussschutz
  • Geringer Stromverbrauch
  • Aktivierungsfunktion (EIN/AUS)

Typische Anwendungen:

  • Kfz-Kombiinstrumente
  • Batteriegestützte Stromversorgungssysteme
  • HF- und Antennenstromversorgung

Spezifikationen:

  • Eingangsspannung: bis zu 18 V
  • Ausgangsstrom: bis zu 500 mA
  • Dropout-Spannung von nur 120 mV bei 100 mA.
  • Ruhestrom von nur 1 µA.
  • Kompaktes SOT-23-5-Gehäuse.

NUP3105L-AQ: Zuverlässiger ESD-Schutz für CAN- und LIN-Bussysteme in Kraftfahrzeugen

NUP3105L-AQ ESD Schutzdiode von Diotec

Die NUP3105L-AQ von Diotec ist eine leistungsstarke ESD-Schutzdiode zum Schutz empfindlicher Datenleitungen in automobilen Kommunikationsnetzwerken, wie z. B. CAN- und LIN-Bussystemen. Mit einer extrem niedrigen Kapazität von nur 30 pF und einem ESD-Schutz bis zu 30 kV gewährleistet er die Signalintegrität und bietet gleichzeitig einen robusten Schutz vor elektrostatischen Entladungen.

Die  NUP3105L-AQ bietet bidirektionalen Schutz für jede Datenleitung, liefert eine Spitzenimpulsleistung von 295 W (8/20 µs) und weist einen sehr geringenSperrstrom (< 1 µA) auf. Das Bauteil wird im kompakten SOT-23-Gehäuse geliefert, ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, was es zur idealen Wahl für Automobil- und Industriedesigns macht, die eine hohe Zuverlässigkeit erfordern.

 

Key Features:

  • ESD-Schutzdiode für Automobilanwendungen
  • Bidirektionaler Schutz für Datenleitungen und -Ein-/Ausgänge
  • Extrem niedrige Kapazität (30 pF) zur Wahrung der Signalintegrität
  • Sehr niedriger Sperrstrom (<1 µA)
  • Spitzenverlustleistung bis zu 295 W (8/20 µs)
  • AEC-Q101-qualifiziert und konform mit RoHS, REACH und Konfliktmineralien

 

Typische Anwendungen:

  • CAN- und LIN-Bus-Systeme
  • ESD-Schutz für Datenleitungen und -Ein/Ausgänge
  • Automobil-Gateway-Module
  • Schutz für USB-, HDMI-, Ethernet- und Sensorschnittstellen
  • Mikrocontroller-basierte Systeme

 

Wichtige Spezifikationen:

  • Sperrspannung (VWM): 32 V
  • ESD-Festigkeit ± 30 kV
  •  Maximale Sperrschichttemperatur ((Tj max): 125 °C
  • Maximaler Sperrstrom (IR): 1 µA

BAV99L-AQ: Schnelle Doppel-Kleinsignaldiode für 48-V-Telekom- und (Hybrid-) E-Fahrzeuganwendungen

BAV99L-AQ Schnelle Doppel-Kleinsignaldiode von Diotec

Die BAV99L-AQ von Diotec ist eine Doppel-Kleinsignaldiode, die für den universellen Einsatz in 48-V-Telekom-Versorgungen und Batteriemanagementsystemen (BMS) für (Hybrid-) Elektrofahrzeuge ([H]EV) entwickelt wurde. Mit einer Schaltzeit von unter 4 Nanosekunden, einer Spitzen-Sperrspannung von 100 V und einem Durchlassstrom von 2 × 125 mA schützt sie empfindliche Komponenten und ermöglicht die zuverlässige Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung.


Batteriemanagementsysteme spielen eine entscheidende Rolle in Mehrzellenkonfigurationen, da sie die Sicherheit, Zuverlässigkeit und Lebensdauer der Batterie maximieren.
Sie überwachen den Ladezustand (SOC) und den Alterungsprozess (SOH), verhindern thermische Risiken, Über- und Unterspannung, Überstrom, Kurzschlüsse und Überhitzung. Außerdem verwalten sie den Zellausgleich, steuern das Laden/Entladen und kommunizieren mit Ladegeräten oder Steuereinheiten.


Der BAV99L-AQ eignet sich perfekt für diese Aufgaben:

  • Ableiten schneller Transienten zu Masse oder Versorgungsspannung
  • Überspannungsschutz von Mikrocontrollern, Sensoren und MOSFETs
  • Freilaufdioden für kleine Relaisspulen (Vorwärtsspitzenstrom 1 A für 1 ms)
  • Schutz von Signalen vor Rückströmen an Sensorausgängen oder Gateway-Ports


Dank ihrer geringen Kapazität (< 2 pF) und ihrer ultraschnellen Schaltgeschwindigkeit eignet sie sich ideal für Verteilungslogik, Alarm-Grenzwerte und Statusanzeigen. Die vollständig AEC-Q101-qualifizierte BAV99L-AQ ist in großen Stückzahlen erhältlich und bietet eine zuverlässige, leistungsstarke Lösung für Automobil- und Telekommunikationsanwendungen.


Key Features:

  • Zwei Dioden in Reihenschaltung
  • Hochgeschwindigkeitsschalten (< 4 ns)
  • AEC-Q101-qualifiziert

Anwendungen:

  • Automobilelektronik und Displays
  • Infotainmentsysteme
  • Telekom-Notstromversorgung
  • Lichttechnik

Technische Daten:

  • Wiederholbare Sperrspannung (VRRM): 100 V
  • Sperrgleichspannung (VDC): 75 V
  • Mittlerer Durchlassstrom: 125 mA bei Belastung beider Dioden oder 250 mA bei Belastung einer einzelnen Diode
  • Typische Durchlassspannung (VF): <0,855 V bei 10 mA, 25 °C
  • Gehäuse: SOT-23

BC846S: NPN-Doppel-Transistor im kompakten SOT-363-Gehäuse für universelle Schalt- und Verstärkungsaufgaben

BC846S NPN-Doppel-Transistor von Diotec Semiconductor

Der BC846S von Diotec Semiconductor ist ein NPN-Doppel-Transistor, der die bewährten Daten des Industriestandards BC846 im platzsparenden SOT-363-Gehäuse bietet. Beide Transistoren ermöglichen einen Dauer-Kollektorstrom von 100 mA, einen Spitzenstrom von 200 mA und eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 45 V bei einer typischen Gleichstromverstärkung von 290. Damit eignen sie sich ideal für die Verstärkung von Signalen mit niedrigem Eingang sowie für verschiedene Schaltanwendungen.


Dank der Dual-Konfiguration in einem einzigen kompakten Gehäuse hilft der BC846S, wertvollen Platz auf der Leiterplatte zu sparen und gleichzeitig genügend Leistung zu liefern. Typische Anwendungen sind die LED-Beleuchtung, Unterhaltungselektronik und Haushaltsgeräte wie Staubsauger, Haartrockner, Rasierapparate und Elektrowerkzeuge und Küchengeräte.

Key Features:

  • NPN-Doppel-Transistor
  • Platzsparendes SOT-363-Gehäuse
  • Industriestandard BC846-Parameter
  • Geeignet für universelles Verstärken und Schalten

Anwendungen:

  • LED-Beleuchtung
  • Konsumgüter
  • Staubsauger, Haartrockner und Rasierapparate
  • Elektrowerkzeuge
  • Küchengeräte

Wichtige Spezifikationen:

  • Kollektorstrom (IC): 100 mA nominal, 200 mA Spitze
  • Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 45 V
  • Gleichstromverstärkung (hFE): typ. 290 bei 2 mA / 5 V
  • Gesamtverlustleistung (Ptot): 150 mW bei 25 °C
  • Gehäuse: SOT-363