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- BCP55-10 BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C
- BCP55-16 BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C
- BCP55-16-AQ BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C, AEC-Q101
- LDI559-1.8EN VR, SOT-23-5, 18V, 1.76V, 1.84V, 125°C, 0.005mA
- DB15-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 15A, 150°C
- DB15-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 15A, 150°C
- DB15-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 15A, 150°C
- DB15-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 15A, 150°C
- DB25-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 25A, 150°C
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- DB25-18 Bridge, 3-ph, DB, 1800V, 25A, 150°C
- DB35-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 35A, 150°C
- DB35-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 35A, 150°C
- DB35-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 35A, 150°C
- DB35-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 35A, 150°C
- DBI25-12A Bridge, 3-ph, DBI, 1200V, 25A, 175°C
- DBI25-16A Bridge, 3-ph, DBI, 1600V, 25A, 175°C
- DBI25-18A Bridge, 3-ph, DBI, 1800V, 25A, 175°C
- LDI75-1.8 VR, SOT-23, 7V, 1.76V, 1.84V, 125°C, 0.004mA
- BCX56-16 BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W, 150°C
- BCX56-16-AQ BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W, 150°C, AEC-Q101
- PPS1545-3G Schottky, TO-277B, 45V, 15A, 150°C
- KBPC10/15/2501FP Bridge, 1-ph, KBPC, 100V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2501WP Bridge, 1-ph, KBPC, 100V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2510FP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2510WP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 25A, 150°C
- PPS5100 Schottky, TO-277B, 100V, 5A, 150°C
- PW4512 Diode, TO-247-2L, 1200V, 45A, 150°C
- PW4516 Diode, TO-247-2L, 1600V, 45A
- KBPC3510FP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 35A, 150°C
- PPS1045-3G Schottky, TO-277B, 45V, 10A, 150°C
- 1N4007 Diode, DO-41, 1000V, 1A, 175°C
- BAS40-05 Schottky, SOT-23, 40V, 0.2A, 150°C
- GBI25W Bridge, 1-ph, GBI, 1600V, 25A, 150°C
- PPH810 Schottky, TO-277B, 100V, 8A, 175°C
- SM4005 Diode, Melf, 600V, 1A, 175°C
- DI002N10PWK MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C
- PPS1060-3G Schottky, TO-277B, 60V, 10A, 150°C
- PPS20100 Schottky, TO-277B, 100V, 20A, 150°C
- Z1SMA15 Zener, SMA, 15V, 1.5W, ±5%
- DI002N10PWK-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C, AEC-Q101
- DI064P04D1-AQ MOSFET, DPAK, P, -40V, -64A, 7.6mΩ, 150°C, AEC-Q101
- GBI40W Bridge, 1-ph, GBI, 1600V, 40A, 150°C
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Diotec präsentiert den DIW065SIC015: Hocheffizienter 650 V SiC-MOSFET mit extrem niedrigem RDS(on) von 15 mΩ im TO-247-3L-Gehäuse
Diotec präsentiert den DIW065SIC015: Hocheffizienter 650 V SiC-MOSFET mit extrem … to date! 最新动态 11.02.2025 Diotec präsentiert den DIW065SIC015: Hocheffizienter 650 V SiC-MOSFET mit extrem … seinen neuesten Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET DIW065SIC015 vor, der mit 15 mΩ den niedrigsten RDS(on)-Wert …
Diotec Unveils DIW065SIC015: High-Efficiency 650V SiC MOSFET with Ultra-Low 15mΩ RDS(on) in TO-247-3L
Diotec Unveils DIW065SIC015: High-Efficiency 650V SiC MOSFET with Ultra-Low … stay up to date! 最新动态 11.02.2025 Diotec Unveils DIW065SIC015: High-Efficiency 650V SiC MOSFET with Ultra-Low … its latest Silicon Carbide (SiC) MOSFET, DIW065SIC015 , featuring the lowest RDS(on) values in its … where
Diotec präsentiert den DIW065SIC015: Hocheffizienter 650 V SiC-MOSFET mit extrem niedrigem RDS(on) von 15 mΩ im TO-247-3L-Gehäuse
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德欧泰克发布DIW065SIC015：采用TO-247-3L封装的650V碳化硅MOSFET，具备15mΩ超低导通电阻
德欧泰克发布DIW065SIC015：采用TO-247-3L封装的650V碳化硅MOSFET，具备15mΩ超低导通电阻 … Releases: stay up to date! 最新动态 11.02.2025 德欧泰克发布DIW065SIC015：采用TO-247-3L封装的650V碳化硅MOSFET，具备15mΩ超低导通电阻 … 德欧泰克半导体推出最新碳化硅(SiC) MOSFET产品 DIW065SIC015 ，其15mΩ导通电阻值创该系列产品新低。该器件采用经典TO-247-3L封装， … ，尤其在高频高压开关领域——这正是硅基IGBT受限的关键场景。 Products