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德欧泰克半导体推出最新碳化硅(SiC) MOSFET产品DIW065SIC015，其15mΩ导通电阻值创该系列产品新低。该器件采用经典TO-247-3L封装，可轻松集成至高功率应用的电路设计中，特别适用于服务器站的高效高频电源系统。此外，其应用范围广泛覆盖光伏逆变器、工业机械及电力转换系统等领域。

在电力电子行业中，各领域正致力于提升功率输出的同时维持或增强系统效率。碳化硅技术应运而生并迅速风靡，凭借卓越的击穿电压特性和显著降低的功耗，性能超越传统硅基功率MOSFET。宽禁带技术使该器件能在高温环境下稳定运行，更快的开关速度则令碳化硅MOSFET实现更低单周期开关损耗，从而提升能效并维持电力转换系统的高速切换。因此，碳化硅MOSFET正成为各类应用的首选解决方案，尤其在高频高压开关领域——这正是硅基IGBT受限的关键场景。