Suche
Produkt-Suche
Website-Suche
Ergebnisse 11 - 20 von 1103 für Harbinger VARI VS12 12 (0,017 Sekunden)
SiC MOSFET im TO-247 mit 3 oder 4 Anschlüssen
Applikationen, News Neueste Meldungen von Diotec 12.09.2023 SiC MOSFET im TO-247 mit 3 oder 4 Anschlüssen … im TO-247-Gehäuse mit 3 oder 4 Anschlüssen. DIW120SIC023-AQ, DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ Die … Gate-Source-Spannung (VGSS)) und mehr: DIW120SIC023-AQ, DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ
SiC MOSFET im TO-247 mit 3 oder 4 Anschlüssen
Applikationen, News Neueste Meldungen von Diotec 12.09.2023 SiC MOSFET im TO-247 mit 3 oder 4 Anschlüssen … im TO-247-Gehäuse mit 3 oder 4 Anschlüssen. DIW120SIC023-AQ, DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ Die … Gate-Source-Spannung (VGSS)) und mehr: DIW120SIC023-AQ, DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ
SiC MOSFET Familie
niedrige Schaltverluste, hohe Spannungspegel (1200 V), maximal 53 mΩ bis 23 mΩ Durchlasswiderstand … )) und mehr. Video bei YouTube anzeigen Produkte DIF120SIC022-AQ de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053- … Gleichrichterdioden, , Details zur Artikelnummer DIF120SIC022-AQ anzeigen, Details zur
SiC MOSFET Family
are low switching losses, high voltage levels (1200 V), maximum 53 mΩ to 23 mΩ on-state resistance ( … )) and more. Video bei YouTube anzeigen Produkte DIF120SIC022-AQ de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053- … Gleichrichterdioden, , Details zur Artikelnummer DIF120SIC022-AQ anzeigen, Details
SiC MOSFET系列
，工业和商业领域的其他电源应用。 这些碳化硅MOSFET的规格是低开关损耗，高电压电平(1200 V)，最大53 mΩ至23 mΩ导通电阻(RDSon)，低栅极电荷(从-8 V到22 … (VGSS)）等等。 Video bei YouTube anzeigen Produkte DIF120SIC022-AQ de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053- … Gleichrichterdioden, , Details zur Artikelnummer DIF120SIC022-AQ anzeigen, Details zur
SiC MOSFET Family
are low switching losses, high voltage levels (1200 V), maximum 53 mΩ to 23 mΩ on-state resistance ( … )) and more. Video bei YouTube anzeigen Produkte DIF120SIC022-AQ index.php > de > produkt > DIF120SIC022-AQ … Gleichrichterdioden, , Details zur Artikelnummer DIF120SIC022-AQ anzeigen, Details zur
SiC MOSFET Familie
niedrige Schaltverluste, hohe Spannungspegel (1200 V), maximal 53 mΩ bis 23 mΩ Durchlasswiderstand … )) und mehr. Video bei YouTube anzeigen Produkte DIF120SIC022-AQ index.php > de > produkt > DIF120SIC022-AQ … Gleichrichterdioden, , Details zur Artikelnummer DIF120SIC022-AQ anzeigen, Details zur
SiC MOSFET系列
，工业和商业领域的其他电源应用。 这些碳化硅MOSFET的规格是低开关损耗，高电压电平(1200 V)，最大53 mΩ至23 mΩ导通电阻(RDSon)，低栅极电荷(从-8 V到22 … (VGSS)）等等。 Video bei YouTube anzeigen Produkte DIF120SIC022-AQ index.php > de > produkt > DIF120SIC022-AQ … Gleichrichterdioden, , Details zur Artikelnummer DIF120SIC022-AQ anzeigen, Details zur
Siliziumkarbid-Schottky Roadmap
sich durch ein hohe Sperrspannung (650 V ... 1200 V) sowie eine extrem niedrige "Sperrverzugszeit … sich durch ein hohe Sperrspannung (650 V ... 1200 V) sowie eine extrem niedrige "Sperrverzugszeit … . Flyer_sic-diodes.pdf (71,2 KiB) Produkte SI20C120D2 de > produkt > SI20C120D2 SICW20C120 de > …
Silicon Carbide Schottky Roadmap
diodes feature a high reverse voltage (650 V ... 1200 V) combined with an extremely low "reverse … diodes feature a high reverse voltage (650 V ... 1200 V) combined with an extremely low "reverse … . Flyer_sic-diodes.pdf (71,2 KiB) Produkte SI20C120D2 de > produkt > SI20C120D2 SICW20C120 de > …