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Informieren Sie sich über die SiC-MOSFET-Familie von Diotec Semiconductor, deren Komponenten sich hervorragend für EV-Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und andere Stromversorgungsanwendungen im Automobil-, Industrie- und Handelssektor eignen.

Die Spezifikationen dieser Siliziumkarbid-MOSFETs sind niedrige Schaltverluste, hohe Spannungspegel (1200 V), maximal 53 mΩ bis 23 mΩ Durchlasswiderstand (RDSon), niedrige Gate-Ladung (von -8 V bis 22 V kontinuierliche Gate-Source-Spannung (VGSS)) und mehr.

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