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- BCP55-10 BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C
- BCP55-16 BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C
- BCP55-16-AQ BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C, AEC-Q101
- LDI559-1.8EN VR, SOT-23-5, 18V, 1.76V, 1.84V, 125°C, 0.005mA
- DB15-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 15A, 150°C
- DB15-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 15A, 150°C
- DB15-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 15A, 150°C
- DB15-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 15A, 150°C
- DB25-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 25A, 150°C
- DB25-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 25A, 150°C
- DB25-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 25A, 150°C
- DB25-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 25A, 150°C
- DB25-18 Bridge, 3-ph, DB, 1800V, 25A, 150°C
- DB35-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 35A, 150°C
- DB35-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 35A, 150°C
- DB35-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 35A, 150°C
- DB35-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 35A, 150°C
- DBI25-12A Bridge, 3-ph, DBI, 1200V, 25A, 175°C
- DBI25-16A Bridge, 3-ph, DBI, 1600V, 25A, 175°C
- DBI25-18A Bridge, 3-ph, DBI, 1800V, 25A, 175°C
- LDI75-1.8 VR, SOT-23, 7V, 1.76V, 1.84V, 125°C, 0.004mA
- BCX56-16 BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W, 150°C
- BCX56-16-AQ BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W, 150°C, AEC-Q101
- PPS1545-3G Schottky, TO-277B, 45V, 15A, 150°C
- KBPC10/15/2501FP Bridge, 1-ph, KBPC, 100V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2501WP Bridge, 1-ph, KBPC, 100V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2510FP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2510WP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 25A, 150°C
- PPS5100 Schottky, TO-277B, 100V, 5A, 150°C
- PW4512 Diode, TO-247-2L, 1200V, 45A, 150°C
- PW4516 Diode, TO-247-2L, 1600V, 45A
- KBPC3510FP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 35A, 150°C
- PPS1045-3G Schottky, TO-277B, 45V, 10A, 150°C
- 1N4007 Diode, DO-41, 1000V, 1A, 175°C
- BAS40-05 Schottky, SOT-23, 40V, 0.2A, 150°C
- GBI25W Bridge, 1-ph, GBI, 1600V, 25A, 150°C
- PPH810 Schottky, TO-277B, 100V, 8A, 175°C
- SM4005 Diode, Melf, 600V, 1A, 175°C
- DI002N10PWK MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C
- PPS1060-3G Schottky, TO-277B, 60V, 10A, 150°C
- PPS20100 Schottky, TO-277B, 100V, 20A, 150°C
- Z1SMA15 Zener, SMA, 15V, 1.5W, ±5%
- DI002N10PWK-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C, AEC-Q101
- DI064P04D1-AQ MOSFET, DPAK, P, -40V, -64A, 7.6mΩ, 150°C, AEC-Q101
- GBI40W Bridge, 1-ph, GBI, 1600V, 40A, 150°C
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Ergebnisse 671 - 680 von 2586 für 評価方法基準第5の5の5-1 (0,058 Sekunden)
Wussten Sie, dass in einem Fußball Halbleiterchips eingebaut sind? Und dass der GBU12M von Diotec hilft, die Trainerbank warm zu halten?
Halbleiterchips eingebaut sind? Und dass der GBU12M von Diotec hilft, die Trainerbank warm zu halten … Halbleiterchips eingebaut sind? Und dass der GBU12M von Diotec hilft, die Trainerbank warm zu halten … passiert. Der Brückengleichrichter GBU12M von Diotec wird in der Sitzheizung der … auf einen
Neue und aktualisierte Datenblätter 2023-11-21
Neue und aktualisierte Datenblätter 2023-11-21 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter im … Sie bitte technicalsupport@diotec.com. 21.11.2023 Neue und aktualisierte Datenblätter 2023-11 … Neue und aktualisierte Datenblätter 2023-11-21 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter im … Sie bitte
New and updated datasheets 2023-11-21
New and updated datasheets 2023-11-21 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter im … Sie bitte technicalsupport@diotec.com. 21.11.2023 New and updated datasheets 2023-11-21 New: … New and updated datasheets 2023-11-21 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter im … Sie bitte
NEW Application Note: How to Prolong Battery Lifetime
Applikationen, News Neueste Meldungen von Diotec 16.02.2022 NEW Application Note: How to Prolong Battery … . Thanks to Diotec's new LDO Voltage regulators LDI8119EN and LDI8233EN with Enable-function it is … to the shutdown current of 0.4 µA - 1.0 µA the LDI8119EN and LDI8233EN are suitable in all
SiC MOSFET Familie
niedrige Schaltverluste, hohe Spannungspegel (1200 V), maximal 53 mΩ bis 23 mΩ Durchlasswiderstand … , hohe Spannungspegel (1200 V), maximal 53 mΩ bis 23 mΩ Durchlasswiderstand (RDSon), … -AQ de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053-AQ de > produkt > DIF120SIC053-AQ DIW120SIC022- … AQ anzeigen,
SiC MOSFET Family
are low switching losses, high voltage levels (1200 V), maximum 53 mΩ to 23 mΩ on-state resistance ( … losses, high voltage levels (1200 V), maximum 53 mΩ to 23 mΩ on-state resistance (RDSon), low … -AQ de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053-AQ de > produkt > DIF120SIC053-AQ DIW120SIC022- … AQ
SiC MOSFET系列
，工业和商业领域的其他电源应用。 这些碳化硅MOSFET的规格是低开关损耗，高电压电平(1200 V)，最大53 mΩ至23 mΩ导通电阻(RDSon)，低栅极电荷(从-8 V到22 … 。 这些碳化硅MOSFET的规格是低开关损耗，高电压电平(1200 V)，最大53 mΩ至23 mΩ导通电阻(RDSon)，低栅极电荷(从-8 V到22 V连续栅源电压(VGSS … -AQ de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053-AQ de > produkt > DIF120SIC053-AQ DIW120SIC022- … AQ anzeigen,
SiC MOSFET Family
are low switching losses, high voltage levels (1200 V), maximum 53 mΩ to 23 mΩ on-state resistance ( … losses, high voltage levels (1200 V), maximum 53 mΩ to 23 mΩ on-state resistance (RDSon), low … .php > de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053-AQ index.php > de > produkt > DIF120SIC053-AQ …
SiC MOSFET Familie
niedrige Schaltverluste, hohe Spannungspegel (1200 V), maximal 53 mΩ bis 23 mΩ Durchlasswiderstand … , hohe Spannungspegel (1200 V), maximal 53 mΩ bis 23 mΩ Durchlasswiderstand (RDSon), … .php > de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053-AQ index.php > de > produkt > DIF120SIC053-AQ … AQ anzeigen,
SiC MOSFET系列
，工业和商业领域的其他电源应用。 这些碳化硅MOSFET的规格是低开关损耗，高电压电平(1200 V)，最大53 mΩ至23 mΩ导通电阻(RDSon)，低栅极电荷(从-8 V到22 … 。 这些碳化硅MOSFET的规格是低开关损耗，高电压电平(1200 V)，最大53 mΩ至23 mΩ导通电阻(RDSon)，低栅极电荷(从-8 V到22 V连续栅源电压(VGSS … .php > de > produkt > DIF120SIC022-AQ DIF120SIC053-AQ index.php > de > produkt > DIF120SIC053-AQ … AQ anzeigen,