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- BCP55-10 BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C
- BCP55-16 BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C
- BCP55-16-AQ BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C, AEC-Q101
- LDI559-1.8EN VR, SOT-23-5, 18V, 1.76V, 1.84V, 125°C, 0.005mA
- DB15-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 15A, 150°C
- DB15-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 15A, 150°C
- DB15-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 15A, 150°C
- DB15-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 15A, 150°C
- DB25-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 25A, 150°C
- DB25-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 25A, 150°C
- DB25-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 25A, 150°C
- DB25-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 25A, 150°C
- DB25-18 Bridge, 3-ph, DB, 1800V, 25A, 150°C
- DB35-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 35A, 150°C
- DB35-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 35A, 150°C
- DB35-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 35A, 150°C
- DB35-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 35A, 150°C
- DBI25-12A Bridge, 3-ph, DBI, 1200V, 25A, 175°C
- DBI25-16A Bridge, 3-ph, DBI, 1600V, 25A, 175°C
- DBI25-18A Bridge, 3-ph, DBI, 1800V, 25A, 175°C
- LDI75-1.8 VR, SOT-23, 7V, 1.76V, 1.84V, 125°C, 0.004mA
- BCX56-16 BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W, 150°C
- BCX56-16-AQ BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W, 150°C, AEC-Q101
- PPS1545-3G Schottky, TO-277B, 45V, 15A, 150°C
- KBPC10/15/2501FP Bridge, 1-ph, KBPC, 100V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2501WP Bridge, 1-ph, KBPC, 100V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2510FP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2510WP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 25A, 150°C
- PPS5100 Schottky, TO-277B, 100V, 5A, 150°C
- PW4512 Diode, TO-247-2L, 1200V, 45A, 150°C
- PW4516 Diode, TO-247-2L, 1600V, 45A
- KBPC3510FP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 35A, 150°C
- PPS1045-3G Schottky, TO-277B, 45V, 10A, 150°C
- 1N4007 Diode, DO-41, 1000V, 1A, 175°C
- BAS40-05 Schottky, SOT-23, 40V, 0.2A, 150°C
- GBI25W Bridge, 1-ph, GBI, 1600V, 25A, 150°C
- PPH810 Schottky, TO-277B, 100V, 8A, 175°C
- SM4005 Diode, Melf, 600V, 1A, 175°C
- DI002N10PWK MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C
- PPS1060-3G Schottky, TO-277B, 60V, 10A, 150°C
- PPS20100 Schottky, TO-277B, 100V, 20A, 150°C
- Z1SMA15 Zener, SMA, 15V, 1.5W, ±5%
- DI002N10PWK-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C, AEC-Q101
- DI064P04D1-AQ MOSFET, DPAK, P, -40V, -64A, 7.6mΩ, 150°C, AEC-Q101
- GBI40W Bridge, 1-ph, GBI, 1600V, 40A, 150°C
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Die Elektrische Revolution: Steigende Stromnachfrage belebt die Zukunft der E-Mobilität
Angaben der Hersteller je nach Modell zwischen 11 kWh und 30 kWh pro 100 km. Die … je nach Modell zwischen 11 kWh und 30 kWh pro 100 km. Die Verbrauchsberechnungen basieren daher in … der Regel auf 15 kWh pro 100 km. In Anbetracht der schnell wachsenden Zahl … EUR pro kWh rechnen, was 3,75 bis 5,25
Demo Board 3991 Load-Dump TVS Diode + USB
Demo Board 3991 Load-Dump TVS Diode + USB Applikation von Diotec … . Applikationsschriften 08.02.2022 Demo Board 3991 Load-Dump TVS Diode + USB 2-in-1 Demo Board 3990 … für µController u. ä. mit CLD + Shunt-Regler 3991.pdf (551,6 KiB) Produkte 3991 de > produkt > … -Dioden de > produktliste > TVS
Demo Board 3991 Load-Dump TVS Diode + USB
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New and updated data sheets 2017-02-02
New and updated data sheets 2017-02-02 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter … Sie bitte technicalsupport@diotec.com. 02.02.2017 New and updated data sheets 2017-02-02 New: … Sie bitte technicalsupport@diotec.com. 02.02.2017 New and updated data sheets 2017-02-02 New: … updated data sheets
Der neue DIF065SIC020 von Diotec: Hocheffizienter 650-V-SiC-MOSFET im TO-247-4L-Gehäuse
Der neue DIF065SIC020 von Diotec: Hocheffizienter 650-V-SiC-MOSFET im … Neueste Meldungen von Diotec 17.04.2025 Der neue DIF065SIC020 von Diotec: Hocheffizienter 650-V-SiC-MOSFET im … stellt seinen neuesten Siliziumkarbid-MOSFET DIF065SIC020 vor, der sich durch einen außergewöhnlich … mit vier
隆重推出德欧泰克DIF065SIC020：采用TO-247-4L封装的高效能650V碳化硅MOSFET
隆重推出德欧泰克DIF065SIC020：采用TO-247-4L封装的高效能650V碳化硅MOSFET … Neueste Meldungen von Diotec 17.04.2025 隆重推出德欧泰克DIF065SIC020：采用TO-247-4L封装的高效能650V碳化硅MOSFET … 德欧泰克半导体隆重推出最新碳化硅MOSFET产品DIF065SIC020，其导通电阻（RDS(on)）低至20mΩ的卓越水平。该器件采用创新TO-247-4L封装， … /W 工作结温(Tj)：-55°C至+175°C 工业标准TO-247四引脚封装（含开尔文源极）
Der neue DIF065SIC020 von Diotec: Hocheffizienter 650-V-SiC-MOSFET im TO-247-4L-Gehäuse
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Neue und aktualisierte Datenblätter 2025-04-17
Neue und aktualisierte Datenblätter 2025-04-17 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter … Sie bitte technicalsupport@diotec.com. 25.04.2025 Neue und aktualisierte Datenblätter 2025-04-17 … Neue und aktualisierte Datenblätter 2025-04-17 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter im … 2025 Neue und
New and updated datasheets 2025-04-17
New and updated datasheets 2025-04-17 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter … Sie bitte technicalsupport@diotec.com. 25.04.2025 New and updated datasheets 2025-04-17 New: … New and updated datasheets 2025-04-17 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter im … . 25.04.2025 New and updated
Neue und aktualisierte Datenblätter 2025-05-23
Neue und aktualisierte Datenblätter 2025-05-23 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter … Sie bitte technicalsupport@diotec.com. 23.05.2025 Neue und aktualisierte Datenblätter 2025-05-23 … Neue und aktualisierte Datenblätter 2025-05-23 Die zuletzt veröffentlichten Datenblätter im … Sie bitte