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德欧泰克半导体隆重推出最新碳化硅MOSFET产品DIF065SIC020，其导通电阻（RDS(on)）低至20mΩ的卓越水平。该器件采用创新TO-247-4L封装，配备第四引脚（开尔文源极），可实现更快的开关速度、更低的功率损耗以及更高的系统可靠性。这些特性使其成为多领域应用的理想选择：数据中心服务器电源、光伏逆变器、工业电机驱动及电能转换系统。

在工业界持续追求能效提升的电力电子领域，碳化硅技术正崛起为极具前景的新一代解决方案。凭借更高击穿电压和显著降低的功率耗散，其性能远超传统硅基功率MOSFET与IGBT。宽带隙技术的应用确保器件在极端温度环境下稳定运行。碳化硅MOSFET凭借更低的导通电阻，在每个开关周期产生更少损耗，在维持高开关速度的同时大幅提升电能转换效率。因此，在需要高频高压开关的应用场景——这正是硅基MOSFET与IGBT的局限所在——碳化硅MOSFET正成为首要解决方案。

产品特性

• 超高反向击穿电压
• 先进平面栅技术
• 极低导通阻抗
• 低电容快速开关
• 低栅极电荷
• 低开关总能耗

典型应用

• 数据服务器电源
• 新能源汽车充电系统
• 太阳能逆变器
• 不间断电源(UPS)
• 功率因数校正(PFC)
• 开关电源(SMPS)
• DC/DC转换器
• 工业驱动与供电系统

关键参数

• 漏源电压(VDSS)：650V
• 最大导通电阻(RDSon)：20mΩ
• 漏源漏电流(IDSS)：100µA
• 栅源连续电压(VGSS)：-10V至22V
• 推荐开启栅压VGS(on)：18V
• 推荐关断栅压VGS(off)：-5V
• 功率耗散(Ptot)：550W
• 峰值漏电流(IDM)：150A
• 最大热阻(RthC)：0.38K/W
• 工作结温(Tj)：-55°C至+175°C
• 工业标准TO-247四引脚封装（含开尔文源极）

DIF065SIC020的推出彰显了德欧泰克以高效耐用碳化硅技术驱动新一代能源解决方案的承诺。无论是数据服务器、太阳能、工业设备还是电动汽车应用，这款MOSFET均专为满足现代电力系统的严苛需求而设计。

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