MMFTN6190KDW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN6190KDW MOSFET, SOT-363, N+N, 30V, 1A, 0.28Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	MMFTN6190KDW

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-363
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V
Drain Current 25°C	ID	1.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.2800 Ω
	@ ID	1.300 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.4500 Ω
	@ ID	0.290 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.400 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	9.600 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.8 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	9 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	30 ns
Abfallzeit	tf	16 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	2.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	0 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	87 pF
Output Capacitance	Coss	17 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	12 pF
Reverse recovery charge	Qrr