MMFTN123-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN123-Q MOSFET, SOT-23, N, 100V, 0.17A, 6Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	MMFTN123-Q

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	0.170 A
On-Resistance 1	RDSon1	6.0 Ω
	@ ID	0.17 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	10.0000 Ω
	@ ID	0.170 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.360 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.680 A
Schwellspannung	VGSth min	0.8 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	3 ns
Anstiegszeit	tr	18 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	31 ns
Abfallzeit	tf	15 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	73 pF
Output Capacitance	Coss	7 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	3 pF
Reverse recovery charge	Qrr