DIW170SIC750
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIW170SIC750 1700 V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 7.5A, 1700V, 850mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	418
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW170SIC750

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Polarität	pol	N
Drainstrom 25°C	ID	7.500 A
Drainstrom 100°C	ID	5.300 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1700 V
On-Widerstand 1	RDSon1	0.8500 Ω
	@ ID	2.000 A
	@ VGS	20 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	84.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Drain-Spitzenstrom	IDM	19.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	10 ns
Abfallzeit	tf	23 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	0.05 mJ
ESD Schutz	ESD protected	Nein
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	16 ns
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	23.8 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	7 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	285 pF
Ausgangskapazität	Coss	14 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	3 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	86 nC
Avalanche	Nein