DIW170SIC750
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DIW170SIC750 1700 V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 7.5A, 1700V, 850mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	20
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIW170SIC750

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	7.500 A
Drain Current 100°C	ID	5.300 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1700 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.8500 Ω
	@ ID	2.000 A
	@ VGS	20 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	84.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Drain-Spitzenstrom	IDM	19.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	10 ns
Abfallzeit	tf	23 ns
Total Switching Energy	Etotal	0.05 mJ
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	16 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	23.8 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	7 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	285 pF
Output Capacitance	Coss	14 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	3 pF
Reverse recovery charge	Qrr	86 nC
Avalanche	Avalanche	Nein