DIW170SIC070
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIW170SIC070 1700 V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1700V, 60mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW170SIC070

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Drain-Source-Spannung	VDS	1700 V
Drainstrom 25°C	ID	70.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0600 Ω

	@ ID	40.000 A
	@ VGS	20 V
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Drainstrom 100°C	ID	45.000 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	140.000 A
	@ tp
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	455.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Schwellspannung	VGSth min	2.2 V
	VGSth max	4.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	37 ns
Anstiegszeit	tr	19 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	30 ns
Abfallzeit	tf	14 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	1.95 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	131.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	15 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	2951 pF
Ausgangskapazität	Coss	80 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	6 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	201 nC
Avalanche	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly