DIW120SIC192
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DIW120SIC192 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 19A, 1200V, 192mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIW120SIC192

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	19.000 A
Drain Current 100°C	ID	12.500 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.1920 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	20 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	127.000 W
	@ TLoc
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	40.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	3.5 V
Anstiegszeit	tr	0 ns
Abfallzeit	tf	0 ns
Total Switching Energy	Etotal	0.14 mJ
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	950 pF
Output Capacitance	Coss	35 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	9 pF
Reverse recovery charge	Qrr	44 nC
Avalanche	Avalanche	Nein