DIW120SIC022-AQ
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIW120SIC022-AQ 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW120SIC022-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Polarität	pol	N
Drainstrom 25°C	ID	120.000 A
Drainstrom 100°C	ID	85.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0223 Ω
	@ ID	75 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	580.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	250.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	38 ns
Abfallzeit	tf	35 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal
ESD Schutz	ESD protected	Nein
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0280 Ω
	@ ID	75.000 A
	@ VGS	18 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	150 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	108 ns
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	48 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	4817 pF
Ausgangskapazität	Coss	207 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	45 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	630 nC
Avalanche	Nein