DIW018N65
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIW018N65 MOSFET, TO-247-3L, N, 650V, 18A, 0.18Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIW018N65

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V

Drain Current 25°C	ID	18.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.1800 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	11.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	156.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	60.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	4.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	24 ns
Anstiegszeit	tr	8 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	28 ns
Abfallzeit	tf	34 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	38.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	14 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	480.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1680 pF
Output Capacitance	Coss	40 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	6 pF
Reverse recovery charge	Qrr	5 nC