DIT100N10
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIT100N10 MOSFET, TO-220AB, N, 100V, 100A, 9.9mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	530
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIT100N10

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	100.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0099 Ω
	@ ID	40 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	55.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	200.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	380.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	15 ns
Anstiegszeit	tr	50 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	40 ns
Abfallzeit	tf	55 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	85.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	28 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	800.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	4800 pF
Output Capacitance	Coss	340 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	150 pF
Reverse recovery charge	Qrr	53 nC