DIJ4A5N65
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIJ4A5N65 MOSFET, ITO-220AB, N, 650V, 4.5A, 1.3Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIJ4A5N65

Typ	Wire-lead
Gehäuse	ITO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V
Drain Current 25°C	ID	7.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	1.3000 Ω
	@ ID	3.500 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	2.700 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	46.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	28.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	20 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	74 ns
Abfallzeit	tf	33 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	22.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	6 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	281.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1080 pF
Output Capacitance	Coss	90 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	3 pF
Reverse recovery charge	Qrr	3 nC