DIJ006N90
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIJ006N90 MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 6A, mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIJ006N90

Typ	Wire-lead
Gehäuse	ITO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	900 V
Drain Current 25°C	ID	6.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	2.1000 Ω
	@ ID	2.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	4.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	37.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	16.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	4.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	20 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	0 pF
Output Capacitance	Coss	0 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	0 pF
Reverse recovery charge	Qrr