DIF120SIC022
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DIF120SIC022 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	200
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIF120SIC022

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	120.000 A
Drain Current 100°C	ID	85.000 A
Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.0223 Ω
	@ ID	75 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	340.000 W
	@ TLoc
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	250.000 A
Schwellspannung	VGSth min
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr
Abfallzeit	tf
Total Switching Energy	Etotal	3.70 mJ
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss
Output Capacitance	Coss
Reverse Transfer Capacitance	Crss
Reverse recovery charge	Qrr
Avalanche	Avalanche	Nein