DIF120SIC017
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DIF120SIC017 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 90A, 1200V, 17mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIF120SIC017

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	90.000 A
Drain Current 100°C	ID	63.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.01700 Ω
	@ ID	75 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	250.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	198.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.8 V
	VGSth max	3.6 V
Anstiegszeit	tr	26 ns
Abfallzeit	tf	30 ns
Total Switching Energy	Etotal	2.50 mJ
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)	128 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Gate-Drain Charge	Qgd	71 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	6229 pF
Output Capacitance	Coss	224 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	17 pF
Reverse recovery charge	Qrr	2180.0 nC
Avalanche	Avalanche	Nein