DID3A2N65
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DID3A2N65 MOSFET, IPAK, N, 650V, 3.2A, 2.6Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	6.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DID3A2N65

Typ	SMD
Gehäuse	TO-251/I-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V
Drain Current 25°C	ID	3.200 A
On-Resistance 1	RDSon1	2.6000 Ω
	@ ID	2 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	2.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	54.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	16.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	45 ns
Anstiegszeit	tr	100 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	200 ns
Abfallzeit	tf	130 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	25.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	20 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	180.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	581 pF
Output Capacitance	Coss	63 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	11 pF
Reverse recovery charge	Qrr	370 nC