DI7A5N65D2K-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI7A5N65D2K-AQ Gate Protected MOSFET, D2PAK, N, 650V, 7.5A, 0.43Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI7A5N65D2K-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V

Drain Current 25°C	ID	7.500 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.4300 Ω
	@ ID	4 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	4.700 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	62.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	25.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	43 ns
Anstiegszeit	tr	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	43 ns
Abfallzeit	tf	50 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	18.4 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	7 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	174.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	722 pF
Output Capacitance	Coss	24 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	6 pF
Reverse recovery charge	Qrr	2 nC