DI4A7P06SQ2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI4A7P06SQ2 MOSFET, SO-8, P+P, -60V, -4.7A, 75mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI4A7P06SQ2

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P+P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V
Drain Current 25°C	ID	-4.700 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0750 Ω
	@ ID	-5 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	3.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-30.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1.3 V
	VGSth max	-2.3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	0 ns
Anstiegszeit	tr	6 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	0 ns
Abfallzeit	tf	13 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	0 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	0 pF
Output Capacitance	Coss	0 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	0 pF
Reverse recovery charge	Qrr