DI2A8N03PWK2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI2A8N03PWK2 MOSFET, PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI2A8N03PWK2

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2-Dual
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	2.800 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0720 Ω
	@ ID	2 A
	@ VGS	5 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.1020 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	12.000 A
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	1138 ns
Anstiegszeit	tr	68 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	892 ns
Abfallzeit	tf	99 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	6.8 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	6 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	387 pF
Ausgangskapazität	Coss	37 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	10 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	3 nC