DI2A7N70D1K-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI2A7N70D1K-Q Gate Protected MOSFET, DPAK, N, 700V, 2.7A, 1.6Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI2A7N70D1K-Q

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	700 V

Drainstrom 25°C	ID	2.700 A
On-Widerstand 1	RDSon1	1.6000 Ω
	@ ID	1 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	1.700 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	34.400 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	6.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	3.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	9 ns
Anstiegszeit	tr	11 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	86 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	5.8 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	19.3 mJ
Eingangskapazität	Ciss	209 pF
Ausgangskapazität	Coss	12 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	5 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	498 nC