DI2A2N100D1K-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
Produktinformationen
| Produktfamilie | MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz |
|---|---|
| Artikelbezeichnung |
DI2A2N100D1K-AQ
Gate Protected
MOSFET, DPAK, N, 1000V, 2.2A, 6.8Ω, 150°C, AEC-Q101 |
| Mindestbestellmenge | 2.500 |
| Bestand | 0 |
| Zollnummer | 85412900 |
| RoHS / REACH | Ja |
Downloads & Links
Verfügbarkeit bei Distributoren
Technische Daten
| Artikelnummer | DI2A2N100D1K-AQ | |
|---|---|---|
|
||
| Typ | SMD | |
| Gehäuse | TO-252AA/D-PAK | |
| Qualification | AEC-Q101 | |
| Config | Single Protected | |
| Life Cycle | engineering sample | |
| ESD sensitive | Nein | |
| ESD protection | ESD protected | Ja |
| Polarität | pol | N |
| Drain-Source-Spannung | VDS | 1000 V |
| Drain Current 25°C | ID | 2.200 A |
| On-Resistance 1 | RDSon1 | 6.8000 Ω |
| @ ID | 1.500 A | |
| @ VGS | 10 V | |
| Drain Current 100°C | ID | |
| On-Resistance 2 | RDSon2 | |
| @ ID | ||
| @ VGS | ||
| Sperrschicht Temperatur | Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | Ptot | 29.700 W |
| @ TLoc | ||
| Location | ||
| Avalanche | Avalanche | Nein |
| Drain-Spitzenstrom | IDM | 8.000 A |
| Schwellspannung | VGSth min | |
| VGSth max | 4.0 V | |
| Einschaltverzögerung | tD(on) | |
| Anstiegszeit | tr | |
| Ausschaltverzögerung | tD(off) | |
| Abfallzeit | tf | |
| Total Gate Charge (10V) | Qg (10V) | |
| Total Gate Charge (4.5V) | Qg (4.5V) | |
| Gate-Drain Charge | Qgd | |
| Single pulse avalanche energy | Eas | |
| Input Capacitance | Ciss | |
| Output Capacitance | Coss | |
| Reverse Transfer Capacitance | Crss | |
| Reverse recovery charge | Qrr | |
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