DI200N10D2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI200N10D2 MOSFET, D2PAK, N, 100V, 200A, 2.3mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI200N10D2

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	200.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0023 Ω
	@ ID	120 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	185.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	340.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	950.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	38 ns
Anstiegszeit	tr	28 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	80 ns
Abfallzeit	tf	35 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	262.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	62 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	451.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	16800 pF
Output Capacitance	Coss	1350 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	80 pF
Reverse recovery charge	Qrr	290 nC