DI200N10D2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI200N10D2 MOSFET, D2PAK, N, 100V, 200A, 2.3mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI200N10D2

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	200.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0023 Ω
	@ ID	120 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	185.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	340.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	950.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	38 ns
Anstiegszeit	tr	28 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	80 ns
Abfallzeit	tf	35 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	262.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	62 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	451.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	16800 pF
Ausgangskapazität	Coss	1350 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	80 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	290 nC