DI200N04PQ-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI200N04PQ-Q MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 200A, 1.3mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI200N04PQ-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	200.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0013 Ω
	@ ID	100 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	165.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	180.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	800.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	8 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	57 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	92.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	18 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	1800.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	5768 pF
Output Capacitance	Coss	2315 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	69 pF
Reverse recovery charge	Qrr	120 nC