DI170SIC850D7
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DI170SIC850D7 1700V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-263-7L, N, 7A, 1700V, 850mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI170SIC850D7

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263-7L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	7.000 A
Drain Current 100°C	ID	4.500 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1700 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.8500 Ω
	@ ID	2.000 A
	@ VGS	20 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	62.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	9.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	23 ns
Abfallzeit	tf	14 ns
Total Switching Energy	Etotal
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS	2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	38 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	0.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	198 pF
Output Capacitance	Coss	13 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	2 pF
Reverse recovery charge	Qrr	15 nC
Avalanche	Avalanche	Nein