DI120SIC089D7-AQ
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DI120SIC089D7-AQ 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-263-7L, N, 46A, 1200V, 89mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI120SIC089D7-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263-7L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

Polarität	pol	N
Drainstrom 25°C	ID	46.000 A
Drainstrom 100°C	ID	35.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Widerstand 1	RDSon1	0.08900 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	263.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	105.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	10 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	0.15 mJ
ESD Schutz	ESD protected	Nein
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	22 ns
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	103.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	36 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	2451 pF
Ausgangskapazität	Coss	79 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	6 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	76.0 nC
Avalanche	Nein