DI120SIC026D7
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DI120SIC026D7 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-263-7L, N, 117A, 1200V, 26mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI120SIC026D7

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-263-7L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	117.000 A
Drain Current 100°C	ID	83.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.0260 Ω
	@ ID	50.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	535.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	297.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.9 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	32 ns
Abfallzeit	tf	14 ns
Total Switching Energy	Etotal
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	45 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	64.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	182 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	5990 pF
Output Capacitance	Coss	220 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	19 pF
Reverse recovery charge	Qrr	639 nC
Avalanche	Avalanche	Nein