DI110N06D2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI110N06D2 MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 3.2mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI110N06D2

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	110.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0032 Ω
	@ ID	100 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	70.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	62.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	480.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	39 ns
Anstiegszeit	tr	69 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	27 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	75.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	22 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	100.3 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4597 pF
Ausgangskapazität	Coss	2133 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	110 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	40 nC