DI110N04PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI110N04PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 100A, 2.5mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI110N04PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V
Drain Current 25°C	ID	100.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0025 Ω
	@ ID	23 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	70.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0038 Ω
	@ ID	18.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	55.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	450.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	19 ns
Anstiegszeit	tr	42 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	17 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	48.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	7 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	123.5 mJ
Input Capacitance	Ciss	2980 pF
Output Capacitance	Coss	550 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	35 pF
Reverse recovery charge	Qrr	18 nC