DI101N10PQ-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI101N10PQ-Q MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 100A
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI101N10PQ-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	100.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Drainstrom 100°C	ID	75.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0080 Ω
	@ ID	30.000 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	130.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	240.000 A
Schwellspannung	VGSth min
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss
Ausgangskapazität	Coss
Rückwirkungskapazität	Crss
Sperrverzugsladung	Qrr