DI100N04D1-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI100N04D1-AQ MOSFET, DPAK, N, 40V, 100A, 4mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI100N04D1-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	100.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0040 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	73.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0050 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	83.300 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	450.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	40 ns
Anstiegszeit	tr	63 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	37 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	143.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	28 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	164.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	7000 pF
Ausgangskapazität	Coss	549 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	404 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	13 nC