DI0A4N45SQ2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI0A4N45SQ2 MOSFET, SO-8, N+N, 450V, 0.4A, 4.5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI0A4N45SQ2

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	450 V
Drain Current 25°C	ID	0.400 A
On-Resistance 1	RDSon1	4.5000 Ω
	@ ID	0.400 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1.600 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	4 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	9 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	7.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	0.2 mJ
Input Capacitance	Ciss	160 pF
Output Capacitance	Coss	28 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	5 pF
Reverse recovery charge	Qrr	530 nC