DI080N06PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI080N06PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 65V, 105A, 3mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI080N06PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	105.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0045 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0030 Ω
	@ ID	30.000 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	80.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	480.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	26 ns
Anstiegszeit	tr	44 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	6 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	78.5 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	18 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	185.4 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4128 pF
Ausgangskapazität	Coss	1245 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	34 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	33 nC