DI080N03PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI080N03PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 30V, 80A, 1.8mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI080N03PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	80.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0018 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	70.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0025 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	35.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	420.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	43 ns
Anstiegszeit	tr	71 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	42 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	163.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	37 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	150.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	7460 pF
Ausgangskapazität	Coss	890 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	730 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	15 nC