DI080N03PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI080N03PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 30V, 80A, 1.8mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI080N03PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V
Drain Current 25°C	ID	80.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0018 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	70.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0025 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	35.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	420.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	43 ns
Anstiegszeit	tr	71 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	42 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	163.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	37 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	150.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	7460 pF
Output Capacitance	Coss	890 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	730 pF
Reverse recovery charge	Qrr	15 nC