DI075SIC055D7
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DI075SIC055D7 750V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-263-7L, N, 53A, 750V, 55mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI075SIC055D7

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-263-7L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	53.000 A
Drain Current 100°C	ID	37.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	750 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.05500 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	214.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	132.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.9 V
	VGSth max	4.8 V
Anstiegszeit	tr	12 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Switching Energy	Etotal	0.00 mJ
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	70.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	18 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	2320 pF
Output Capacitance	Coss	150 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	14 pF
Reverse recovery charge	Qrr	340.0 nC
Avalanche	Avalanche	Nein