DI075SIC055D7
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DI075SIC055D7 750V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-263-7L, N, 53A, 750V, 55mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI075SIC055D7

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-263-7L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Drain-Source-Spannung	VDS	750 V
Drainstrom 25°C	ID	53.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.05500 Ω

	@ ID	20.000 A
	@ VGS	18 V
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Drainstrom 100°C	ID	37.000 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	132.000 A
	@ tp
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	214.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Schwellspannung	VGSth min	1.9 V
	VGSth max	4.8 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	12 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	0.00 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	70.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	18 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	2320 pF
Ausgangskapazität	Coss	150 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	14 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	340.0 nC
Avalanche	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly