DI067P06PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI067P06PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, P, -60V, -67A, 13.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI067P06PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drain Current 25°C	ID	-67.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0135 Ω
	@ ID	-20 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	-42.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0170 Ω
	@ ID	-20.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	110.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	280.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1.3 V
	VGSth max	-2.6 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	19 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	56 ns
Abfallzeit	tf	35 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	62.1 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	17 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	560.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	5505 pF
Output Capacitance	Coss	325 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	275 pF
Reverse recovery charge	Qrr	71 nC