DI065N06PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI065N06PT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 65V, 65A, 5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI065N06PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drain Current 25°C	ID	65.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0050 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	41.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0075 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	39.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	300.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	15 ns
Anstiegszeit	tr	26 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	37.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	10 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	65.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1617 pF
Output Capacitance	Coss	504 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	22 pF
Reverse recovery charge	Qrr	22 nC