DI050N04BPT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050N04BPT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 50A, 7mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI050N04BPT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	50.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0070 Ω
	@ ID	30.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	35.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0120 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	35.700 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.1 V
	VGSth max	2.4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	64 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	21 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	48.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	22.5 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	10 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	2280 pF
Output Capacitance	Coss	173 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	119 pF
Reverse recovery charge	Qrr	8 nC