DI049N06PTK-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI049N06PTK-AQ Gate protected MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 65V, 49A, 6.1mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI049N06PTK-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	49.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0061 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	32.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0100 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	25.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	300.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	25.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	13 ns
Abfallzeit	tf	16 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	31.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	8 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	4.1 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1691 pF
Ausgangskapazität	Coss	604 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	37 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	8 nC