DI048N04PQA2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI048N04PQA2-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 40V, 54.3A, 9.5mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	5.000
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI048N04PQA2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6-Dual
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	54.300 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0065 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	38.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0095 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	38.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	120.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	6 ns
Anstiegszeit	tr	40 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	21 ns
Abfallzeit	tf	13 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	20.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	10.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	5 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	49.6 mJ
Input Capacitance	Ciss	939 pF
Output Capacitance	Coss	379 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	50 pF
Reverse recovery charge	Qrr	13 nC