DI040N10D1-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI040N10D1-AQ MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI040N10D1-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	40.000 A
On-Resistance 1	RDSon1
	@ ID
	@ VGS
Drain Current 100°C	ID	28.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0170 Ω
	@ ID	28.000 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	37.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	160.000 A
Schwellspannung	VGSth min	3.0 V
	VGSth max	4.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	15.5 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	0 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	64.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1192 pF
Output Capacitance	Coss	421 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	34 pF
Reverse recovery charge	Qrr	32 nC