DI040N10D1-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI040N10D1-AQ MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI040N10D1-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	40.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.01700 Ω
	@ ID	28.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	28.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	37.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	160.000 A
	@ tp
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	15.5 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	0 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	64.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1192 pF
Ausgangskapazität	Coss	421 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	34 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	32 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi