DI038N04PQ2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI038N04PQ2 MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 45V, 38A, 10mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI038N04PQ2

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6-Dual
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	45 V
Drain Current 25°C	ID	38.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0100 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	23.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0180 Ω
	@ ID	8.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	31.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	160.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	16 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	9 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	15.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	36.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	830 pF
Output Capacitance	Coss	260 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	20 pF
Reverse recovery charge	Qrr	7 nC